Nanotechnologie Semiconductor Pwosesis à Photoresist Flite Teknoloji

 

 

 

Nanotechnologie semiconductor pwosesis à photoresist flite teknoloji génère photoresist gouttelettes nan gwo -frekans mekanik Vibwasyon medyòm photoresist a, ak lè sa a transpòte yo sou substrate atravè yon gaz transporteur.
Egzijans kle pou asire ke konsekans repwodiktif, fyab, ak aplikab nan konesans teknolojik fotolitografi -se pou kouvri planche substrate la ak fotorezist. Photoresist se nòmalman gaye nan Solvang oswa opsyon akeuz epi li se yon materyèl viskozite twòp. Selon kondisyon pwosesis yo, à par jeneralman te chwazi kòm metòd pou plak blanch photoresist.

 

 

 

 

 

1. Flite inegal

Rezon ki fè:

Bouch la bloke oswa chire.

Frekans ultrasons la enstab.

Viskozite twal la flite se kounye a pa apwopriye.

Solvan:

Netwaye oswa ranplase bouch la.

Kalibre dèlko ultrasons la.

Ajiste viskozite materyèl la.

2. Patikil espre yo twò masiv oswa twò piti

Rezon ki fè:

Move plase nan paramèt ultrasons.

Grafik bouch la pa apwopriye ankò pou materyèl dènye -bòd lan.

Solvan:

Ajiste frekans ultrasons ak pouvwa a.

Ranplase bouch la formidable.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Baj popilè: Nanotechnologie semiconductor pwosesis à photoresist par teknoloji, Lachin nanotechnologie semiconductor pwosesis à photoresist par teknoloji manifaktirè yo, ke founisè, faktori