Sistèm kouch fotoresist pou litografi semi -conducteurs

Konpare ak kouch vire tradisyonèl yo, penti fotoresist lè l sèvi avèk flite ultrasons gen avantaj nan depoze plis penti inifòm, espesyalman sou tèt la nan flan yo nan siyon rapò segondè aspè ak V ki gen fòm estrikti Groove. Wotasyon santrifujeur pa ka depoze penti inifòm ansanm flan yo, epi yo pa pral depoze twòp fotoresist nan pati anba a nan kavite la.

Flite ultrasons se yon pwosesis senp, ékonomi, ak repwodwi pou kouch fotoresist nan pwosesis wafer fotolitografi. Sistèm ultrasons kouch ultrasons Fonsonic a itilize teknoloji avanse stratifikasyon pou kontwole to koule tise byen, vitès kouch, ak kantite lajan depozisyon. Low vitès espre bòdi defini espre atomize kòm yon modèl egzat ak kontwole pou fè pou evite overspray ak pwodwi kouch trè mens ak inifòm. Flite dirèk la lè l sèvi avèk teknoloji ultrasons te pwouve yo dwe yon metòd serye ak efikas pou depoze fotoresist sou microstructures 3D, kidonk diminye echèk ekipman ki te koze pa ekspoze twòp nan metal etchants.

Avantaj nan bouch ultrasons nan pwosesis kouch fotoresist:

1. Kouvèti fim inifòm nan divès kalite kontou sifas yo.
2. Kapab rad ki genyen gwo rapò aspè siyon ak inifòmite ekselan.
3. ki pa bouche espre atomize.
4. Kapab depoze trè inifòm sèl micron kouch mens.
5. repete pwosesis flite matirite.